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4819619AS4C64M8SA-7TCN-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8SA-7TCN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C64M8SA-7TCN
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns
AS4C64M8D3L-12BCN

AS4C64M8D3L-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C64M8D3L-12BIN

AS4C64M8D3L-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C64M8D3L-12BINTR

AS4C64M8D3L-12BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C8M16D1-5TINTR

AS4C8M16D1-5TINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C8M16D1A-5TCN

AS4C8M16D1A-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C8M16D1-5TCNTR

AS4C8M16D1-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C8M16D1-5BCN

AS4C8M16D1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C64M8D3-12BIN

AS4C64M8D3-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C64M8D2-25BINTR

AS4C64M8D2-25BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C8M16D1-5TCN

AS4C8M16D1-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C8M16D1-5BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C8M16D1-5BIN

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

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AS4C64M8D3-12BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

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AS4C64M8D3-12BCN

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AS4C64M8D2-25BIN

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