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AS4C64M32MD2A-25BCN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C64M32MD2A-25BCN
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AS4C64M32MD2A-25BCN.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    134-FBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    134-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -30°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (64M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 400MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Uhrfrequenz
    400MHz

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Das Folgende sind "AS4C64M32MD2A-25BCN" -Einziper.
AS4C64M4SA-7TCN

AS4C64M4SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M32MD1-5BCNTR

AS4C64M32MD1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D1-5BCNTR

AS4C64M8D1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D1-5BCN

AS4C64M8D1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M32MD1-5BINTR

AS4C64M32MD1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C64M16MD2A-25BCN

AS4C64M16MD2A-25BCN

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M16MD2A-25BCNTR

AS4C64M16MD2A-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C64M4SA-7TCNTR

AS4C64M4SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C64M32MD1-5BIN

AS4C64M32MD1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C64M8D1-5BINTR

AS4C64M8D1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M16MD2-25BCNTR

AS4C64M16MD2-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M32MD2-25BCN

AS4C64M32MD2-25BCN

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D1-5TCN

AS4C64M8D1-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M32MD1-5BCN

AS4C64M32MD1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D1-5BIN

AS4C64M8D1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16MD2-25BCN

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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