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3757999AS4C2M32S-7BCN-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C2M32S-7BCN

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    AS4C2M32S-7BCN
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  • Bestandsmenge
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  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    2ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    90-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    90-TFBGA
  • Andere Namen
    1450-1149
    AS4C2M32S-7BCN-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    64Mb (2M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    143MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns
AS4C2M32S-6BINTR

AS4C2M32S-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C2M32SA-7TCN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C2M32S-6BIN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

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AS4C2M32S-6TCNTR

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AS4C2M32S-7TCN

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AS4C2M32SA-6TCN

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AS4C2M32S-6TCN

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AS4C2M32S-5TCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C2M32SA-6TINTR

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AS4C2M43D1A-5BIN

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Beschreibung: DDR SDRAM

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

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AS4C2M32D1A-5BIN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

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AS4C2M32S-7BCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C2M32SA-6TIN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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