AS4C256M8D3LB-12BINTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C256M8D3LB-12BINTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.283 V ~ 1.45 V
Technologie

SDRAM - DDR3L
Supplier Device-Gehäuse

78-FBGA (10.5x8)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

78-VFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x8)
Uhrfrequenz

800MHz
Zugriffszeit

20ns

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Zahlungsmittel

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "AS4C256M8D3LB-12BINTR" -Einziper.

AS4C2M32D1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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