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AS4C256M16D3LB-12BINTR

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  • Artikelnummer
    AS4C256M16D3LB-12BINTR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Supplier Device-Gehäuse
    96-FBGA (13.5x9)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    96-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (256M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13.5x9)
  • Uhrfrequenz
    800MHz
  • Zugriffszeit
    20ns
AS4C256M16D3LA-12BANTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3LB-12BIN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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AS4C256M8D2-25BIN

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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AS4C256M32MD2-18BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

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AS4C256M8D2-25BCN

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AS4C256M16D3LB-12BAN

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AS4C256M8D3-12BAN

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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