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5548335AS4C16M32MSA-6BIN-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M32MSA-6BIN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C16M32MSA-6BIN
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    90-FBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    90-VFBGA
  • Andere Namen
    1450-1458
    AS4C16M32MSA-6BIN-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (16M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-FBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M32MS-7BCN

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

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AS4C16M32MS-6BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

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AS4C1M16S-7TCN

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Beschreibung:

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AS4C16M16SA-7TCN

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C1M16S-6TCN

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

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AS4C1M16S-6TCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

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AS4C16M32MD1-5BCN

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

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AS4C16M32MS-6BIN

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AS4C1M16S-6TIN

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AS4C1G8MD3L-12BCNTR

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AS4C16M32MD1-5BCNTR

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AS4C16M32MD1-5BIN

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AS4C16M16SA-7TCNTR

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