AS4C16M16MSA-6BINTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C16M16MSA-6BINTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C16M16MSA-6BINTR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-FBGA (8x8)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

54-VFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 54-FBGA (8x8)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.5ns

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Das Folgende sind "AS4C16M16MSA-6BINTR" -Einziper.

AS4C16M16D1A-5TINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16MSA-6BINTR

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