SI4401FDY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4401FDY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Adafruit
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4401FDY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET® Gen III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.2 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 5W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4401FDY-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 9.9A (Ta), 14A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.9A (Ta), 14A (Tc)

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Das Folgende sind "SI4401FDY-T1-GE3" -Einziper.

SI4390DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI4401FDY-T1-GE3

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