SI2337DS-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI2337DS-T1-GE3
Hersteller / Marke

Adafruit
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI2337DS-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 1.2A, 10V
Verlustleistung (max)

760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

SI2337DS-T1-GE3-ND
SI2337DS-T1-GE3TR
SI2337DST1GE3
Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.2A (Tc)

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Das Folgende sind "SI2337DS-T1-GE3" -Einziper.

SI2333DS-T1-GE3

Beschreibung:

Hersteller: Vishay Semiconductors

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