NVLUS4C12NTAG

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Spezifikation

Artikelnummer

NVLUS4C12NTAG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVLUS4C12NTAG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-UDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)

630mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen

NVLUS4C12NTAG-ND
NVLUS4C12NTAGOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

23 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1172pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3.3V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 6.8A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.8A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVLUS4C12NTAG" -Einziper.

FDMS7650

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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