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NVLJD4007NZTBG

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Spezifikation

Artikelnummer

NVLJD4007NZTBG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVLJD4007NZTBG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA
Supplier Device-Gehäuse

6-WDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 Ohm @ 125mA, 4.5V
Leistung - max

755mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-WDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 245mA 755mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

245mA

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NVLJD4007NZTBG" -Einziper.

APTMC120AM20CT1AG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1

Hersteller: Microsemi

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