NVD5867NLT4G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVD5867NLT4G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVD5867NLT4G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

39 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)

3.3W (Ta), 43W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

675pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 6A (Ta), 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Ta), 22A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVD5867NLT4G" -Einziper.

NVD5807NT4G-VF01

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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