NVD5807NT4G-VF01

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Spezifikation

Artikelnummer

NVD5807NT4G-VF01
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVD5807NT4G-VF01.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

33W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

NVD5807NT4G-ND
NVD5807NT4G-VF01
NVD5807NT4G-VF01TR
NVD5807NT4G-VF01TR-ND
NVD5807NT4GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

603pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 23A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NVD5807NT4G-VF01" -Einziper.

NVD5C434NT4G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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