NTJD4105CT2G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTJD4105CT2G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTJD4105CT2G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Leistung - max

270mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

NTJD4105CT2G-ND
NTJD4105CT2GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

46 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V, 8V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

630mA, 775mA
Basisteilenummer

NTJD4105C

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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NTJD4105CT1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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