NTJD4001NT2G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTJD4001NT2G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTJD4001NT2G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA
Supplier Device-Gehäuse

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Leistung - max

272mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

250mA

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTJD4001NT2G" -Einziper.

NTJD2152PT2

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

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