NSVBSS63LT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSVBSS63LT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSVBSS63LT1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

100V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 2.5mA, 25mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Leistung - max

225mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

NSVBSS63LT1GOSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

36 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

95MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 100mA 95MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 25mA, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NSVBSS63LT1G" -Einziper.

NSVBCW32LT1G

Beschreibung: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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