NSVBC858CLT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSVBC858CLT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.NSVBC858CLT1G.pdf
2.NSVBC858CLT1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

30V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

-
Leistung - max

300mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

NSVBC858CLT1GOSDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

2 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

420 @ 2mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NSVBC858CLT1G" -Einziper.

NSVBCX17LT1G

Beschreibung: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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