FJP13009H2TU

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Spezifikation

Artikelnummer

FJP13009H2TU
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 400V 12A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.FJP13009H2TU.pdf
2.FJP13009H2TU.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

400V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 3A, 12A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-220-3
Serie

-
Leistung - max

100W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

4MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 12A 4MHz 100W Through Hole TO-220-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

15 @ 5A, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

12A
Basisteilenummer

FJP13009

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FJP13009H2TU" -Einziper.

FJP3305H1TU

Beschreibung: TRANS NPN 400V 4A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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