FJP13007H1TU-F080

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Spezifikation

Artikelnummer

FJP13007H1TU-F080
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TO220 HV FAST-SWITCHING NPN PWR
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FJP13007H1TU-F080.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

400V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 2A, 8A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-220-3
Serie

-
Leistung - max

80W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

FJP13007H1TU-F080-ND
FJP13007H1TU-F080OS
FJP13007H1TU_F080
FJP13007H1TU_F080-ND
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

2 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

4MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 8A 4MHz 80W Through Hole TO-220-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

8 @ 2A, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

8A

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FJP13007H1TU-F080" -Einziper.

FJP13007H2TU-F080

Beschreibung: TO220 HV FAST-SWITCHING NPN PWR

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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