FJN13003BU

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Spezifikation

Artikelnummer

FJN13003BU
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 400V 1.5A TO-92
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FJN13003BU.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

400V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 500mA, 1.5A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-92-3
Serie

-
Leistung - max

1.1W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

4MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 4MHz 1.1W Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

9 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

1.5A
Basisteilenummer

FJN13003

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FJN13003BU" -Einziper.

FJN3302RTA

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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