FJN3303TA

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Spezifikation

Artikelnummer

FJN3303TA
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 400V 1.5A TO-92
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FJN3303TA.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

400V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 500mA, 1.5A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-92-3
Serie

-
Leistung - max

1.1W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Andere Namen

FJN3303TACT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

4MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 4MHz 1.1W Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

14 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

1.5A
Basisteilenummer

FJN3303

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FJN3303TA" -Einziper.

FJN3303RBU

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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