FDC642P-F085P

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Spezifikation

Artikelnummer

FDC642P-F085P
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PMOS SSOT6 20V 65 MOHM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDC642P-F085P.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSOT-23-6
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.2W (Ta)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDC642P-F085P" -Einziper.

FDC6420C

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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