FDC642P-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDC642P-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDC642P-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SuperSOT™-6
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.2W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

FDC642P-F085TR
FDC642P_F085
FDC642P_F085-ND
FDC642P_F085P
FDC642P_F085TR
FDC642P_F085TR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Ta)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FDC642P-F085" -Einziper.

FDC642P_SB4N006

Beschreibung: MOSFET N-CH SSOT6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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