FDB9409L-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDB9409L-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NMOS D2PAK 40V 3.5 MOHM
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

FDB9409L-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

94W (Tj)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

FDB9409L-F085-ND
FDB9409L-F085OSTR
FDB9409L_F085
FDB9409L_F085-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status

Lead free
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3360pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 90A (Tc) 94W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

90A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDB9409L-F085" -Einziper.

FDBL0120N40

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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