FDB9403L-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDB9403L-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 110A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDB9403L-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

333W (Tj)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

FDB9403L-F085TR
FDB9403L_F085
FDB9403L_F085-ND
FDB9403L_F085TR
FDB9403L_F085TR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

245nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

110A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDB9403L-F085" -Einziper.

FDB8896-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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