W987D6HBGX7E TR

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Spezifikation

Artikelnummer

W987D6HBGX7E TR
Hersteller / Marke

Winbond Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

W987D6HBGX7E TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR
Supplier Device-Gehäuse

54-VFBGA (8x9)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

54-TFBGA
Andere Namen

W987D6HBGX7E TR-ND
W987D6HBGX7ETR
Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
Uhrfrequenz

133MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "W987D6HBGX7E TR" -Einziper.

W987D6HBGX6I

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

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