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991407W9751G6KB-18-Bild.Winbond Electronics Corporation

W9751G6KB-18

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W9751G6KB-18
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W9751G6KB-18.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    84-WBGA (8x12.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    84-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 533MHz 350ps 84-WBGA (8x12.5)
  • Uhrfrequenz
    533MHz
  • Zugriffszeit
    350ps

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Das Folgende sind "W9751G6KB-18" -Einziper.
W9751G8KB-25 TR

W9751G8KB-25 TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W972GG8JB-18 TR

W972GG8JB-18 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9751G6KB-25

W9751G6KB-25

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9751G6IB-25

W9751G6IB-25

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W978H2KBQX2E

W978H2KBQX2E

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W972GG8JB-25 TR

W972GG8JB-25 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9751G8KB-25

W9751G8KB-25

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9751G8KB25I

W9751G8KB25I

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W972GG8JB-3I TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W972GG8JB-3 TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9751G8KB25I TR

W9751G8KB25I TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W972GG8JB-3

W972GG8JB-3

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W972GG8JB25I

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W972GG8JB-25

W972GG8JB-25

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9751G6KB-18 TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9751G6KB25I

W9751G6KB25I

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9751G6KB25I TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W972GG8JB25I TR

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W9751G6KB-25 TR

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