W25Q80BVSSIG TR

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Spezifikation

Artikelnummer

W25Q80BVSSIG TR
Hersteller / Marke

Winbond Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

W25Q80BVSSIG TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

3ms
Spannungsversorgung

2.7 V ~ 3.6 V
Technologie

FLASH - NOR
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

SpiFlash®
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Andere Namen

W25Q80BVSSIG TR-ND
W25Q80BVSSIGTR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

8Mb (1M x 8)
Speicherschnittstelle

SPI
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NOR Memory IC 8Mb (1M x 8) SPI 104MHz 8-SOIC
Uhrfrequenz

104MHz

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Das Folgende sind "W25Q80BVSSIG TR" -Einziper.

W25Q80BVDAIG

Beschreibung: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W25Q80BVSSIG TR

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