SQJ431EP-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQJ431EP-T1_GE3
Hersteller / Marke

Vishay / Siliconix
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQJ431EP-T1_GE3.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Prüfung

4355pF @ 25V
Spannung - Durchschlag

PowerPAK® SO-8
VGS (th) (Max) @ Id

213 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (Max)

6V, 10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RoHS Status

Digi-Reel®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12A (Tc)
Polarisation

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SQJ431EP-T1_GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Hersteller-Teilenummer

SQJ431EP-T1_GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

160nC @ 10V
IGBT-Typ

±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5V @ 250µA
FET-Merkmal

P-Channel
Expanded Beschreibung

P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drain-Source-Spannung (Vdss)

-
Beschreibung

MOSFET P-CHAN 200V SO8L
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200V
Kapazitätsverhältnis

83W (Tc)

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Das Folgende sind "SQJ431EP-T1_GE3" -Einziper.

SQJ457EP-T1_GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQJ431EP-T1_GE3

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