SQ4917EY-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQ4917EY-T1_GE3
Hersteller / Marke

Vishay / Siliconix
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQ4917EY-T1_GE3.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Prüfung

1910pF @ 30V
Spannung - Durchschlag

8-SO
VGS (th) (Max) @ Id

48 mOhm @ 4.3A, 10V
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RoHS Status

Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8A (Tc)
Leistung - max

5W (Tc)
Polarisation

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SQ4917EY-T1_GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Hersteller-Teilenummer

SQ4917EY-T1_GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

65nC @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5V @ 250µA
FET-Merkmal

2 P-Channel (Dual)
Expanded Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss)

Standard
Beschreibung

MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60V

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Das Folgende sind "SQ4917EY-T1_GE3" -Einziper.

SQ4946EY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQ4917EY-T1_GE3

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