TPN2R503NC,L1Q

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Spezifikation

Artikelnummer

TPN2R503NC,L1Q
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPN2R503NC,L1Q.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 500µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie

U-MOSVIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

700mW (Ta), 35W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPN2R503NC,L1Q(M
TPN2R503NCL1Q
TPN2R503NCL1QTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 40A (Ta) 700mW (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Ta)

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Das Folgende sind "TPN2R503NC,L1Q" -Einziper.

TPN1600ANH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPN2R503NC,L1Q

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