TPH11003NL,LQ

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Spezifikation

Artikelnummer

TPH11003NL,LQ
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPH11003NL,LQ.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.6W (Ta), 21W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPH11003NL,LQ(S
TPH11003NLLQ
TPH11003NLLQTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 32A (Ta) 1.6W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

32A (Ta)

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Das Folgende sind "TPH11003NL,LQ" -Einziper.

TPH11006NL,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH11003NL,LQ

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