TPCC8093,L1Q

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Spezifikation

Artikelnummer

TPCC8093,L1Q
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPCC8093,L1Q.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 500µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie

U-MOSVII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.9W (Ta), 30W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPCC8093L1Q
Betriebstemperatur

150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 21A (Ta) 1.9W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

21A (Ta)

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Das Folgende sind "TPCC8093,L1Q" -Einziper.

TPCC8002-H(TE12L,Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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TPCC8093,L1Q

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