TK8P60W5,RVQ

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Spezifikation

Artikelnummer

TK8P60W5,RVQ
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK8P60W5,RVQ.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 400µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

560 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)

80W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TK8P60W5,RVQ(S
TK8P60W5RVQTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 8A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Ta)

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Das Folgende sind "TK8P60W5,RVQ" -Einziper.

TK8R2A06PL,S4X

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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TK8P60W5,RVQ

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