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TK10A60E,S4X

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Spezifikation

Artikelnummer

TK10A60E,S4X
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V TO220SIS
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK10A60E,S4X.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220SIS
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

750 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

45W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

TK10A60E,S4X(S
TK10A60E,S5X
TK10A60E,S5X(M
TK10A60ES4X
TK10A60ES4X(S
TK10A60ES4X(S-ND
TK10A60ES5X
TK10A60ES5X-ND
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

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Das Folgende sind "TK10A60E,S4X" -Einziper.

TK10A80E,S4X

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK10A60E,S4X

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