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SSM3J352F,LF

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM3J352F,LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM3J352F,LF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

S-Mini
Serie

U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

1.2W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

SSM3J352F,LF(B
SSM3J352FLF
SSM3J352FLF(B
SSM3J352FLFTR
Betriebstemperatur

150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount S-Mini
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2A (Ta)

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Das Folgende sind "SSM3J352F,LF" -Einziper.

SSM3J325F,LF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM3J352F,LF

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