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3265959RN1302,LF-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1302,LF

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  • Artikelnummer
    RN1302,LF
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    USM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Andere Namen
    RN1302LFCT
    RN1302SULFCT
    RN1302SULFCT-ND
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    50 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
RN1301,LF

RN1301,LF

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1304,LF

RN1304,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1309,LF

RN1309,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN122-4-02

RN122-4-02

Beschreibung: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN1308,LF

RN1308,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1309(TE85L,F)

RN1309(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1302SU,LF

RN1302SU,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Touchstone
vorrätig
RN1310(TE85L,F)

RN1310(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN122-2.5-02-5M6

RN122-2.5-02-5M6

Beschreibung: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN122-3-02-4M5

RN122-3-02-4M5

Beschreibung: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN122-4-02-1M8

RN122-4-02-1M8

Beschreibung: CMC 1.8MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN122-4-02-1

RN122-4-02-1

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 3.3MH 4A

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN1307,LF

RN1307,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1303(TE85L,F)

RN1303(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1305,LF

RN1305,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN122-4-02-3M3

RN122-4-02-3M3

Beschreibung: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN1306,LF

RN1306,LF

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN123-I/RM

RN123-I/RM

Beschreibung: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RN122-3-02

RN122-3-02

Beschreibung: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN125-I/RM

RN125-I/RM

Beschreibung: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig

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