RN1132MFV,L3F

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1132MFV,L3F
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1132MFV,L3F.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

VESM
Serie

-
Widerstand - Basis (R1)

200 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Andere Namen

RN1132MFVL3F
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN1132MFV,L3F" -Einziper.

RN112-2-02-1M8

Beschreibung: CMC 1.8MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

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