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1867742RN1110CT(TPL3)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110CT(TPL3)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1110CT(TPL3)
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN1110CT(TPL3).pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    20V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    CST3
  • Serie
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    50mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-101, SOT-883
  • Andere Namen
    RN1110CT(TPL3)TR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    300 @ 1mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    50mA

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Das Folgende sind "RN1110CT(TPL3)" -Einziper.
RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1109,LF(CT

RN1109,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1111,LF(CT

RN1111,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1110MFV,L3F

RN1110MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1108CT(TPL3)

RN1108CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1110,LF(CT

RN1110,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1110ACT(TPL3)

RN1110ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1111CT(TPL3)

RN1111CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1112CT(TPL3)

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

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RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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