4801920

HN3C51F-BL(TE85L,F

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Spezifikation

Artikelnummer

HN3C51F-BL(TE85L,F
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HN3C51F-BL(TE85L,F.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

120V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ

2 NPN (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SM6
Serie

-
Leistung - max

300mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SC-74, SOT-457
Andere Namen

HN3C51F-BL(TE85LF)DKR
HN3C51F-BL(TE85LF)DKR-ND
HN3C51F-BL(TE85LFDKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

350 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "HN3C51F-BL(TE85L,F" -Einziper.

HN3X4LG6

Beschreibung: WIRE DUCT SLOTTED SCREW GRAY 6'

Hersteller: Panduit

vorrätig

HN3C51F-BL(TE85L,F

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