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Spezifikation

Artikelnummer

2SA1955FVATPL3Z
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SA1955FVATPL3Z.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

12V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 200mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

CST3
Serie

-
Leistung - max

100mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-101, SOT-883
Andere Namen

2SA1955FVATPL3ZCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

130MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount CST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

300 @ 10mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

400mA

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Das Folgende sind "2SA1955FVATPL3Z" -Einziper.

2SA1978-T1B-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR PNP SOT-23

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

2SA1955FVATPL3Z

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