UGF8JDHC0G

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Spezifikation

Artikelnummer

UGF8JDHC0G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

UGF8JDHC0G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

2.3V @ 8A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

600V
Supplier Device-Gehäuse

ITO-220AC
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

30ns
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-2 Full Pack
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 600V 8A Through Hole ITO-220AC
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

500nA @ 600V
Strom - Richt (Io)

8A
Kapazität @ Vr, F

-

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Das Folgende sind "UGF8JDHC0G" -Einziper.

UGF8GTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

UGF8JDHC0G

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