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UG06CHR0G

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Spezifikation

Artikelnummer

UG06CHR0G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

UG06CHR0G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

950mV @ 600mA
Spannung - Sperr (Vr) (max)

150V
Supplier Device-Gehäuse

TS-1
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

15ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

T-18, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 150V 600mA Through Hole TS-1
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 150V
Strom - Richt (Io)

600mA
Kapazität @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "UG06CHR0G" -Einziper.

UG06D/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 600MA MPG06

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

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