TSM650P03CX RFG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM650P03CX RFG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM650P03CX RFG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)

1.56W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

TSM650P03CX RFGTR
TSM650P03CX RFGTR-ND
TSM650P03CXRFGTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.1A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM650P03CX RFG" -Einziper.

TSM6N50CH C5G

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM650P03CX RFG

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