TSM4800N15CX6 RFG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM4800N15CX6 RFG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM4800N15CX6 RFG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-26
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

480 mOhm @ 1.1A, 10V
Verlustleistung (max)

2.1W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6
Andere Namen

TSM4800N15CX6 RFGCT
TSM4800N15CX6 RFGCT-ND
TSM4800N15CX6RFGCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

332pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 1.4A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.4A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM4800N15CX6 RFG" -Einziper.

TSM4D887M010AH6410D493

Beschreibung: CAP TANT 880UF 10V 20% SMD

Hersteller: KEMET

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