TSM120N06LCP ROG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM120N06LCP ROG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM120N06LCP ROG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TSM120N06LCP ROGCT
TSM120N06LCP ROGCT-ND
TSM120N06LCPROGCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2118pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

70A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM120N06LCP ROG" -Einziper.

TSM1285BESA+

Beschreibung: IC ADC 12BIT 300KSPS 8SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

TSM120N06LCP ROG

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