TSM070NA04LCR RLG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM070NA04LCR RLG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM070NA04LCR RLG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-PDFN (5x6)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)

113W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

TSM070NA04LCR RLGTR
TSM070NA04LCR RLGTR-ND
TSM070NA04LCRRLGTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1469pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 91A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

91A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM070NA04LCR RLG" -Einziper.

TSM055N03PQ56 RLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM070NA04LCR RLG

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