TSI10H200CW C0G

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Spezifikation

Artikelnummer

TSI10H200CW C0G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSI10H200CW C0G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

910mV @ 5A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

200V
Supplier Device-Gehäuse

I2PAK
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

TSI10H200CW C0G-ND
TSI10H200CWC0G
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Schottky
Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode
detaillierte Beschreibung

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 5A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

100µA @ 200V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

5A

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Das Folgende sind "TSI10H200CW C0G" -Einziper.

TSI108-200CLY

Beschreibung: IC HOST BRIDGE POWERPC 1023BGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

TSI10H200CW C0G

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