TS13002ACT A3G

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Spezifikation

Artikelnummer

TS13002ACT A3G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 20A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TS13002ACT A3G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

400V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 20mA, 200mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-92
Serie

-
Leistung - max

600mW
Verpackung

Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Andere Namen

TS13002ACT A3G-ND
TS13002ACTA3G
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

4MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 300mA 4MHz 600mW Through Hole TO-92
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

25 @ 100mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

300mA

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Das Folgende sind "TS13002ACT A3G" -Einziper.

TS12M-4.3-160-B

Beschreibung: SWITCH TACTILE

Hersteller: E-Switch

vorrätig

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