SFT15GHA1G

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Spezifikation

Artikelnummer

SFT15GHA1G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 300V 1A TS-1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SFT15GHA1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

300V
Supplier Device-Gehäuse

TS-1
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

35ns
Verpackung

Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse

T-18, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 300V 1A Through Hole TS-1
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 300V
Strom - Richt (Io)

1A
Kapazität @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "SFT15GHA1G" -Einziper.

SFT16G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

SFT15GHA1G

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